在半导体芯片制造的“微雕艺术”中，光刻工艺是核心技法，而光刻胶便是这场精细创作里的“感光雕塑泥”——它质地均匀、对光敏感，能精准复刻纳米级的细微图案，是连接设计蓝图与芯片实体的关键桥梁。这种被称为“光致抗蚀剂”的特殊材料，看似普通胶状，却能在光线的指引下，完成从平整薄膜到精密图形的蜕变，承载起芯片微型化的核心使命。

光刻胶之所以能成为“感光雕塑泥”，根源在于其特殊的成分构成。它主要由感光树脂、增感剂、溶剂及少量添加剂组成，各成分各司其职、协同作用。感光树脂是“雕塑泥”的主体，决定了胶膜的硬度与耐刻蚀性；增感剂如同“感光开关”，能提升光刻胶对特定光线的敏感度，让其在精准照射下快速发生化学反应；溶剂则让固态成分溶解成液态，便于均匀涂覆在晶圆表面，待溶剂挥发后形成平整的胶膜，为后续“雕刻”做好准备。这种组合让光刻胶既有可塑性，又有光敏感性，完美契合纳米图形转移的需求。

作为承载纳米图形的核心载体，光刻胶的“雕刻”过程的核心，是通过光刻工艺的多步协同，将掩模版上的设计图案精准转移到自身，再传递给晶圆。这一过程如同精细的雕塑创作，每一步都不可或缺。

第一步是“铺泥”——涂覆与预处理。晶圆经清洗干燥后，光刻胶通过旋转涂覆的方式均匀覆盖其表面，转速决定胶膜厚度（通常为50nm至2μm），随后经过低温软烘，去除残留溶剂，增强胶膜与晶圆的附着力，避免后续工序中图案脱落。此时的光刻胶如同一块平整的雕塑泥，等待被赋予精细纹理。

第二步是“曝光”——光线勾勒轮廓。这是光刻胶“感光”的关键一步。光刻机发出特定波长的光线（如EUV的13.5nm光线），透过刻有纳米图形的掩模版，精准照射在光刻胶膜上。受光照射的区域，光刻胶会发生不可逆的化学变化：正性光刻胶的分子链断裂，变得易溶于显影液；负性光刻胶的分子则发生交联，变得难溶于显影液。这一步就像用精准的光影，在“雕塑泥”上勾勒出图案的轮廓。

最后一步是“转印”——完成使命传递。带有纳米图形的光刻胶会作为掩膜，保护下方的晶圆材料，通过等离子体刻蚀等工艺，将胶膜上的图形精准转移到晶圆表面。图形转移完成后，光刻胶会被剥离，至此，它便完成了承载纳米图形的核心使命。

随着芯片制程向3nm、2nm迭代，纳米图形的精度要求越来越高，光刻胶的性能也面临严苛考验。它不仅需要更高的光敏感性、分辨率，还需具备优良的耐刻蚀性，以应对更短波长的曝光光源。