新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

高深宽比TSV深度刻蚀技术核心解析
2026 / 05 / 13
玻璃与硅如何“锁死”？阳极键合的原理与应用
2026 / 05 / 08

在微电子、微机电系统等精密制造领域，玻璃与硅的牢固连接是核心技术之一。不同于传统粘接的“外在贴合”，阳极键合能实现两种材料原子级的“内在锁死”，打造高强度、高气密性一体化结构，成为高端器件封装的关键支撑。这种无需黏结剂、仅靠热-电协同作用的连接技术，究竟如何实现紧密结合，又在哪些领域发挥作用？本文将深入解析其核心原理与应用场景。
石英片难刻蚀？试试这些工艺与材料搭配
2026 / 04 / 28

石英片因具备优异的耐高温、高绝缘、高透光性及化学稳定性，广泛应用于光学器件、微机电系统等领域，但石英的高硬度和化学惰性，使其刻蚀过程面临速率慢、精度低、表面损伤等难题。想要高效解决石英片刻蚀困境，关键在于选择适配的工艺与材料搭配，以下几种成熟方案可直接落地应用，兼顾效率与品质。
光刻工艺全解析：从曝光到显影，微纳结构制备核心代工服务
2026 / 04 / 23

在微纳结构制备领域，光刻工艺是贯穿始终的核心技术，更是代工服务中实现高精度图案转移、保障产品性能的关键环节。它以光为“笔”、光刻胶为“纸”，通过精准控制的曝光与显影流程，将设计好的微纳图案转移至基底材料，为半导体、光学器件等领域的产品量产奠定基础。作为微纳结构制备的核心代工服务，光刻工艺的精度、稳定性直接决定了终端产品的核心竞争力。
石英片的微纳加工：透光、耐高温、不易做，怎么办？
2026 / 04 / 16

石英片以二氧化硅为主要成分，凭借宽波段透光、耐高温性和优异的化学稳定性，成为微纳光学、MEMS传感器、光子芯片等高端领域的核心基材。其可见光透过率超93%，紫外至红外波段透光性能优异，软化点可达1730℃，可在1100℃下长期使用，这些特性使其在极端工况和精密器件中不可替代。但也正是这些优势，让石英片的微纳加工面临诸多难题，“透光、耐高温、不易做”成为行业普遍面临的困境，需针对性突破技术瓶颈。
SOI片为什么比普通硅片更香？从键合到掺杂全面解析
2026 / 04 / 09

在半导体产业向高性能、低功耗、高可靠性升级的过程中，SOI片逐渐取代普通硅片，成为诸多高端场景的理想材料。SOI（绝缘体上硅）片凭借独特的“顶层硅-埋氧层-基底硅”三明治结构，在性能表现上实现了对普通硅片的超越，而这一切优势的根源，离不开其特殊的键合工艺与精准的掺杂技术。
石英片 vs 硅片：不同衬底材料如何决定微纳加工工艺路线？
2026 / 04 / 02

在微纳加工领域，衬底材料是工艺设计的核心前提，其物理、化学特性直接决定了加工流程的选择、工艺参数的设定以及最终器件的性能。石英片与硅片作为两种应用广泛的衬底材料，因本质属性的差异，衍生出截然不同的微纳加工工艺路线，成为适配不同场景需求的关键选择。
SOI衬底采购指南：如何根据器件耐压与频率需求，选对埋氧层厚度？
2026 / 03 / 26

SOI衬底凭借优异的介质隔离性能，成为功率集成电路、高频器件等领域的核心基础材料，其埋氧层作为“绝缘屏障”，直接决定器件的耐压能力与频率特性。采购过程中，若埋氧层厚度选择不当，会导致器件击穿、频率衰减等问题，影响产品可靠性与性能。本文结合器件耐压、频率核心需求，梳理埋氧层厚度的选择逻辑，为SOI衬底采购提供实用参考。
半导体衬底：MEMS器件的核心支撑与技术基石
2026 / 03 / 19

在半导体产业飞速发展的当下，半导体衬底作为器件制造的“基石”，承载着支撑、导电、散热等关键功能，直接决定着半导体器件的性能、可靠性与应用场景。其中，MEMS器件作为集微机械结构与电子功能于一体的新型器件，其微型化、高精度、高可靠性的特性，对半导体衬底的材料选择、结构设计与加工工艺提出了更为严苛的要求，二者相辅相成，共同推动着微电子领域的创新突破。
SOI衬底：制备工艺、核心特性及行业应用解析
2026 / 03 / 12

在半导体产业飞速发展的今天，半导体衬底材料作为芯片制造的核心基石，直接决定器件的性能、功耗与集成度。SOI衬底（绝缘体上硅衬底）作为半导体衬底材料家族的重要成员，凭借“顶层单晶硅-埋氧层-底层硅衬底”的独特三层结构，突破了传统体硅衬底的性能瓶颈，在半导体微纳加工技术的支撑下，成为高端芯片领域不可或缺的关键材料，广泛应用于多个核心场景。
藏在芯片与微纳器件里的核心技术：PECVD镀膜的关键应用
2026 / 03 / 06

打开手机、启动电脑、使用智能传感器，我们每天接触的高端电子设备，其核心性能的实现，离不开一项关键镀膜技术——PECVD。它不仅是半导体产业的“核心配角”，更是微纳加工领域的“精准工匠”，默默支撑着尖端科技的迭代升级。
碳化硅片——高性能半导体衬底的关键选择
2026 / 02 / 10

在半导体产业向“高温、高压、高频、高功率”升级的进程中，碳化硅（SiC）片作为第三代宽禁带半导体衬底材料，凭借其优异的物理化学特性，逐步替代传统硅基衬底，成为新能源、5G通信等战略新兴产业的核心支撑，承载着半导体器件性能突破的关键使命。