新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

石英片 vs 硅片：不同衬底材料如何决定微纳加工工艺路线？
2026 / 04 / 02

在微纳加工领域，衬底材料是工艺设计的核心前提，其物理、化学特性直接决定了加工流程的选择、工艺参数的设定以及最终器件的性能。石英片与硅片作为两种应用广泛的衬底材料，因本质属性的差异，衍生出截然不同的微纳加工工艺路线，成为适配不同场景需求的关键选择。
SOI衬底采购指南：如何根据器件耐压与频率需求，选对埋氧层厚度？
2026 / 03 / 26

SOI衬底凭借优异的介质隔离性能，成为功率集成电路、高频器件等领域的核心基础材料，其埋氧层作为“绝缘屏障”，直接决定器件的耐压能力与频率特性。采购过程中，若埋氧层厚度选择不当，会导致器件击穿、频率衰减等问题，影响产品可靠性与性能。本文结合器件耐压、频率核心需求，梳理埋氧层厚度的选择逻辑，为SOI衬底采购提供实用参考。
半导体衬底：MEMS器件的核心支撑与技术基石
2026 / 03 / 19

在半导体产业飞速发展的当下，半导体衬底作为器件制造的“基石”，承载着支撑、导电、散热等关键功能，直接决定着半导体器件的性能、可靠性与应用场景。其中，MEMS器件作为集微机械结构与电子功能于一体的新型器件，其微型化、高精度、高可靠性的特性，对半导体衬底的材料选择、结构设计与加工工艺提出了更为严苛的要求，二者相辅相成，共同推动着微电子领域的创新突破。
SOI衬底：制备工艺、核心特性及行业应用解析
2026 / 03 / 12
藏在芯片与微纳器件里的核心技术：PECVD镀膜的关键应用
2026 / 03 / 06

打开手机、启动电脑、使用智能传感器，我们每天接触的高端电子设备，其核心性能的实现，离不开一项关键镀膜技术——PECVD。它不仅是半导体产业的“核心配角”，更是微纳加工领域的“精准工匠”，默默支撑着尖端科技的迭代升级。
碳化硅片——高性能半导体衬底的关键选择
2026 / 02 / 10

在半导体产业向“高温、高压、高频、高功率”升级的进程中，碳化硅（SiC）片作为第三代宽禁带半导体衬底材料，凭借其优异的物理化学特性，逐步替代传统硅基衬底，成为新能源、5G通信等战略新兴产业的核心支撑，承载着半导体器件性能突破的关键使命。
光刻胶：光刻工艺中的“感光雕塑泥”，如何承载纳米图形？
2026 / 02 / 05

在半导体芯片制造的“微雕艺术”中，光刻工艺是核心技法，而光刻胶便是这场精细创作里的“感光雕塑泥”——它质地均匀、对光敏感，能精准复刻纳米级的细微图案，是连接设计蓝图与芯片实体的关键桥梁。这种被称为“光致抗蚀剂”的特殊材料，看似普通胶状，却能在光线的指引下，完成从平整薄膜到精密图形的蜕变，承载起芯片微型化的核心使命。
SOI片加工挑战多？特殊掺杂与刻蚀工艺的注意事项
2026 / 01 / 29
从晶圆到芯片：光刻之后，切割与打孔如何保证良率？
2026 / 01 / 22
从平面到三维：浅谈微纳加工中的键合与掺杂技术前沿
2026 / 01 / 14

微纳加工技术的发展始终朝着更高集成度、更优性能的方向迈进，传统平面加工模式已逐渐逼近物理极限与性能瓶颈。从平面到三维的维度突破，成为提升微纳器件功能密度与运行效率的核心路径，而键合与掺杂技术作为三维微纳加工的关键支撑，其前沿进展深刻重塑着微纳制造的技术格局。
微纳打孔与切割工艺进展：精度与效率的平衡艺术
2026 / 01 / 07

在半导体、生物医疗、航空航天等高端制造领域，微纳打孔与切割工艺是核心支撑技术，其精度直接决定器件性能，效率则关乎产业化落地能力。随着器件特征尺寸向纳米级逼近，如何在“分毫必争”的精度要求与“批量量产”的效率需求之间找到平衡点，成为行业突破的关键，也让这一工艺成为融合多学科技术的“平衡艺术”。
玻璃衬底：半导体领域的“隐形基石”
2025 / 12 / 30

在半导体产业的精密链条中，衬底材料是承载芯片功能的核心载体，其性能直接决定器件的质量与效率。提及半导体衬底，硅片、碳化硅等材料常被重点关注，而玻璃片作为一种兼具性价比与特殊优势的衬底选择，正逐渐在特定领域崭露头角，成为半导体产业中不可或缺的“隐形基石”。