新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

掺杂工艺：半导体性能调制的核心技术
2026 / 11 / 06

掺杂，是将所需杂质以特定方式掺入半导体基片的规定区域，使其达到规定数量并形成符合要求的分布，从而改变材料电学性质、制造PN结与互连线的一种工艺手段。在微纳加工领域，掺杂技术还可用于实现自停止刻蚀以及构造薄膜层，是MEMS器件制造中不可或缺的关键环节。
高阻硅片：高频时代的关键衬底
2026 / 10 / 29

在射频通信、微波探测与功率电子不断演进的当下，一种看似普通的材料正扮演着日益关键的角色，那就是高阻硅片。与常见的掺杂单晶硅片相比，高阻硅片凭借很高的电阻率，成为众多高频、低损耗器件的重要衬底选择，其材料品质往往直接决定着器件性能的上限。
绝缘层上的精雕：SOI晶圆何以成为微机电系统的主流基底
2026 / 10 / 22

微机电系统的制造，本质上是在硅的尺度上雕琢可动的机械结构。当器件的特征尺寸从微米向纳米推进，工程师们面临的真正对手不再是光刻的分辨率极限，而是材料本身的不确定性。体硅晶圆均匀但缺乏停止信号，多晶硅薄膜可沉积却残留应力。在这种两难之中，绝缘体上硅——也就是通常所说的SOI晶圆——从一个为集成电路解决漏电问题的方案，逐渐演变为微机电系统领域不可替代的基底材料。其背后的逻辑并不复杂：它把微机械加工中棘手的几件事，在晶圆出厂之前就已经替制造者做好了。
碳化硅衬底：撑起下一代功率电子转型的 "硬核" 底座
2026 / 10 / 14

当一辆新能源汽车以高压快充在短时间内完成补能，当数据中心在高负载下依然保持高效运转，当光伏逆变器在烈日下稳定输出电能，当智能电网在峰谷之间灵活调配能源，这些场景的背后，都离不开一种被称作 "第三代半导体" 的衬底材料 —— 碳化硅。
半导体衬底：芯片产业的基石材料
2026 / 10 / 09

在半导体芯片制造体系中，衬底材料是一切器件成型的基础载体，被称作芯片的“地基”。所有芯片的外延生长、电路制备、结构封装都依托衬底完成，其晶体结构、电学性能、热学特性直接决定芯片的性能上限、稳定性与使用寿命。随着信息技术向高频、高速、大功率、低功耗方向迭代，半导体衬底材料不断升级演进，从传统硅基材料到宽禁带、超宽禁带新材料，持续支撑着消费电子、新能源、高端通信、人工智能等领域的技术革新，是半导体产业链中不可或缺的核心基础材料。
微纳加工中的原子层沉积（ALD）技术
2026 / 09 / 23

随着半导体器件、微机电系统、纳米光学器件不断向微型化、高密度、高精密方向迭代，传统薄膜沉积技术已难以满足埃米级精度、复杂结构全覆盖的制备需求。原子层沉积（ALD）作为一种基于表面自限制反应的气相薄膜沉积技术，凭借厚度可控性、结构贴合性与薄膜均匀性，成为当代微纳加工领域的核心精密制程之一，支撑着先进微纳器件的研发与量产落地。
半导体衬底基石：单晶硅片与多晶硅片的核心价值与应用差异
2026 / 09 / 17
半导体刻蚀工艺：芯片制造的精密雕刻技术
2026 / 09 / 11
引线键合技术在MEMS器件封装中的应用与工艺优化
2026 / 09 / 03

随着微纳制造技术的迭代升级，MEMS微机电系统器件朝着微型化、高精度、高稳定性、低成本的方向快速发展，广泛应用于传感检测、智能终端、工业测控、航空航天等诸多领域。封装技术作为MEMS器件制造的核心环节，直接决定器件的电气连通性、结构稳定性和使用寿命。引线键合作为传统且成熟的微电子互连技术，凭借工艺兼容性强、成本可控、适配性广等优势，仍是当前MEMS器件封装的主流互连方案，占据MEMS封装内部连接九成以上的应用场景，是保障MEMS器件性能落地的关键技术支撑。
半导体核心基材：解密高阻硅片的技术价值与产业应用
2026 / 08 / 27

在半导体产业链中，硅片是基础且应用广泛的衬底材料，不同参数特性的硅片适配着截然不同的芯片制造场景。多数人熟知的普通硅片多用于逻辑、存储芯片，而在射频通信、太赫兹技术、精密传感等高端领域，高阻硅片是不可或缺的核心基材。作为特种硅基材料，它凭借优异的电学性能，破解了高频信号传输损耗、信号干扰等行业痛点，成为5G、6G前沿技术迭代的重要支撑。
半导体衬底材料在MEMS加工中的应用与工艺探析
2026 / 08 / 20

在MEMS器件的精密制造体系中，半导体衬底材料是核心基础载体，其物理特性、电学性能与工艺适配性，直接决定MEMS微结构的成型精度、结构稳定性与器件服役寿命。衬底材料的选型与加工工艺的匹配优化，是突破MEMS器件性能瓶颈、实现规模化量产的核心关键。
半导体干法刻蚀与湿法刻蚀：芯片微观雕刻的双重工艺
2026 / 08 / 14