新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

氮化硅：先进芯片制程的核心介质基石
2026 / 06 / 11

在芯片微型化、高性能化的发展浪潮中，半导体材料的迭代升级是技术突破的核心支撑。相较于大众熟知的硅基底材料，氮化硅（SiNx）作为一种关键的介质薄膜材料，凭借优异的电学、力学与化学稳定性，贯穿芯片制造的刻蚀、掺杂、沉积、封装等全流程，成为先进制程芯片不可或缺的核心材料，是保障芯片精密运行、稳定工作的隐形基石。在纳米级制程不断普及的当下，氮化硅的不可替代性愈发凸显，深刻影响着芯片的性能、良率与使用寿命。
硅晶圆氧化工艺：半导体制造的基础核心工艺
2026 / 06 / 04

硅晶圆是半导体芯片制造的核心基底，其表面品质直接决定芯片的性能、稳定性与使用寿命。氧化工艺作为半导体前端制造的基础工序，是通过化学反应在硅晶圆表面生成致密二氧化硅薄膜的核心工艺，贯穿芯片制造全过程。该工艺生成的氧化层具备绝缘性佳、化学稳定性强、界面缺陷少的优势，是后续光刻、掺杂、刻蚀等工序的基础保障，也是构筑半导体器件结构的关键前提。
GaN氮化镓晶片：高性能半导体衬底材料
2026 / 05 / 28

在半导体产业迭代升级的进程中，材料革新是技术突破的核心根基。相较于传统硅基半导体材料，以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料，凭借优异物理与电学性能，成为高端半导体衬底领域的核心材料，广泛适配高功率、高频、高温、抗辐射的严苛工况，为现代电子信息产业升级提供了关键支撑。
半导体衬底材料与微纳加工：筑牢芯片制造根基
2026 / 05 / 21

半导体衬底是微纳加工的核心载体，其材料特性直接决定微纳器件的性能上限与工艺可行性。微纳加工则是将衬底材料的潜能转化为实际器件功能的关键手段，二者深度耦合，共同支撑起半导体产业的发展底座。
高深宽比TSV深度刻蚀技术核心解析
2026 / 05 / 13

硅通孔（TSV）作为3D IC垂直互连的核心技术，其性能直接决定芯片堆叠密度、信号传输效率及功耗水平，而深度刻蚀作为TSV制备的关键工序，是实现高深宽比通孔结构、保障互连可靠性的核心支撑。在微纳加工领域，TSV深度刻蚀技术的精度与效率，更是MEMS代工中实现复杂器件集成的重要技术保障，推动着先进封装与微机电系统产业的迭代升级。
玻璃与硅如何“锁死”？阳极键合的原理与应用
2026 / 05 / 08

在微电子、微机电系统等精密制造领域，玻璃与硅的牢固连接是核心技术之一。不同于传统粘接的“外在贴合”，阳极键合能实现两种材料原子级的“内在锁死”，打造高强度、高气密性一体化结构，成为高端器件封装的关键支撑。这种无需黏结剂、仅靠热-电协同作用的连接技术，究竟如何实现紧密结合，又在哪些领域发挥作用？本文将深入解析其核心原理与应用场景。
石英片难刻蚀？试试这些工艺与材料搭配
2026 / 04 / 28

石英片因具备优异的耐高温、高绝缘、高透光性及化学稳定性，广泛应用于光学器件、微机电系统等领域，但石英的高硬度和化学惰性，使其刻蚀过程面临速率慢、精度低、表面损伤等难题。想要高效解决石英片刻蚀困境，关键在于选择适配的工艺与材料搭配，以下几种成熟方案可直接落地应用，兼顾效率与品质。
光刻工艺全解析：从曝光到显影，微纳结构制备核心代工服务
2026 / 04 / 23

在微纳结构制备领域，光刻工艺是贯穿始终的核心技术，更是代工服务中实现高精度图案转移、保障产品性能的关键环节。它以光为“笔”、光刻胶为“纸”，通过精准控制的曝光与显影流程，将设计好的微纳图案转移至基底材料，为半导体、光学器件等领域的产品量产奠定基础。作为微纳结构制备的核心代工服务，光刻工艺的精度、稳定性直接决定了终端产品的核心竞争力。
石英片的微纳加工：透光、耐高温、不易做，怎么办？
2026 / 04 / 16

石英片以二氧化硅为主要成分，凭借宽波段透光、耐高温性和优异的化学稳定性，成为微纳光学、MEMS传感器、光子芯片等高端领域的核心基材。其可见光透过率超93%，紫外至红外波段透光性能优异，软化点可达1730℃，可在1100℃下长期使用，这些特性使其在极端工况和精密器件中不可替代。但也正是这些优势，让石英片的微纳加工面临诸多难题，“透光、耐高温、不易做”成为行业普遍面临的困境，需针对性突破技术瓶颈。
SOI片为什么比普通硅片更香？从键合到掺杂全面解析
2026 / 04 / 09

在半导体产业向高性能、低功耗、高可靠性升级的过程中，SOI片逐渐取代普通硅片，成为诸多高端场景的理想材料。SOI（绝缘体上硅）片凭借独特的“顶层硅-埋氧层-基底硅”三明治结构，在性能表现上实现了对普通硅片的超越，而这一切优势的根源，离不开其特殊的键合工艺与精准的掺杂技术。
石英片 vs 硅片：不同衬底材料如何决定微纳加工工艺路线？
2026 / 04 / 02

在微纳加工领域，衬底材料是工艺设计的核心前提，其物理、化学特性直接决定了加工流程的选择、工艺参数的设定以及最终器件的性能。石英片与硅片作为两种应用广泛的衬底材料，因本质属性的差异，衍生出截然不同的微纳加工工艺路线，成为适配不同场景需求的关键选择。
SOI衬底采购指南：如何根据器件耐压与频率需求，选对埋氧层厚度？
2026 / 03 / 26

SOI衬底凭借优异的介质隔离性能，成为功率集成电路、高频器件等领域的核心基础材料，其埋氧层作为“绝缘屏障”，直接决定器件的耐压能力与频率特性。采购过程中，若埋氧层厚度选择不当，会导致器件击穿、频率衰减等问题，影响产品可靠性与性能。本文结合器件耐压、频率核心需求，梳理埋氧层厚度的选择逻辑，为SOI衬底采购提供实用参考。