新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

单晶硅和多晶硅的区别
2023 / 07 / 24

单晶硅和多晶硅是两种不同的硅材料，它们的主要区别在于晶体结构、物理性质和用途等方面。首先，单晶硅是由许多晶体周期性排列而成的，其晶体结构具有高度的有序性和一致性，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较少。相比之下，多晶硅是由许多小的晶体组成的，每个小晶体的晶体结构都有一定的差异，因此其晶体内部的原子排列和晶体缺陷都比较复杂。其次，由于单晶硅的晶体结构高度有序，其物理性质也相对比较均匀，具有较高的
碳化硅衬底的制备和分类
2023 / 07 / 23

衬底是指沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。碳化硅衬底制备技术碳化硅衬底制备技术包括 PVT 法（物理气相传输法）、溶液法和高温气