新闻资讯 - 江苏新越半导体科技有限公司

微纳加工中的电子束光刻技术
2025 / 08 / 21

在半导体制造与微纳加工领域，“纳米级分辨率” 是衡量技术先进性的核心指标 —— 它决定了芯片上晶体管的密度、量子器件的精度，甚至影响未来光子晶体、二维材料等前沿领域的突破。作为当前能实现 “从 0 到 1” 纳米制造的关键技术，电子束光刻（EBL）凭借其突破光学衍射极限的能力，成为全球科研与工业界的 “必争之地”。
石英片：半导体产业的隐形支柱
2025 / 08 / 14

在半导体制造过程中，各种高精尖材料和技术被广泛讨论，如光刻机、硅晶圆、极紫外（EUV）光刻等。然而，有一种材料虽不常被提及，却在半导体制造中扮演着至关重要的角色——石英片（Quartz Wafer）。石英片因其优异的耐高温性、高纯度和光学特性，成为半导体设备（如光刻机、蚀刻机）中的关键组件。本文将深入探讨石英片的特性、制造工艺、应用领域及未来发展趋势。
高阻硅片：半导体行业的隐形支柱
2025 / 08 / 06

在半导体行业中，硅材料占据着核心地位，而高阻硅片（High-Resistivity Silicon Wafers）则是其中一种关键材料。尽管它不像低阻硅那样广为人知，但在高频、高功率和射频（RF）应用中，高阻硅片发挥着不可替代的作用。本文将探讨高阻硅片的特性、制备工艺、应用领域以及未来发展趋势。
小小石英片，用途大揭秘
2025 / 07 / 30

石英片，这个看似普通的薄片，实则在众多领域发挥着不可或缺的作用。它通常由石英熔炼并切割磨制而成，二氧化硅含量可达 99.99% 以上，凭借着一系列优异的性能，成为了现代工业和科技领域的 “多面手”。
为什么单晶硅片是电子工业的核心材料？
2025 / 07 / 23

单晶硅片是半导体和光伏产业的核心基础材料，其高纯度、完美的晶体结构和优异的电学性能使其在集成电路（IC）和太阳能电池领域占据主导地位。以下从多个维度对其特性、制备及应用进
单抛与双抛硅片：性能差异与应用选择
2025 / 07 / 15

在半导体制造领域，硅片作为基础材料，其质量直接决定着最终产品的性能与可靠性。单抛和双抛硅片是两种常见的硅片处理工艺，它们在表面特性、机械性能和适用场景等方面存在显著差异。随着半导体技术向更小节点发展，对硅片质量的要求日益严苛，正确选择硅片类型变得尤为关键。本文旨在系统分析单抛与双抛硅片的特点，比较它们的性能差异，并探讨在不同应用场景下的选择策略，为半导体制造工艺提供有价值的参考。
MEMS代工与半导体材料：微纳制造的共生关系
2025 / 07 / 10

MEMS技术作为现代传感器和执行器的核心，已广泛应用于消费电子、汽车、医疗和工业等领域。然而，MEMS的成功制造离不开半导体材料和代工技术的紧密配合。本文将探讨MEMS代工与半导体材料之间的关系，分析材料选择对制造工艺的影响，并展望未来发展趋势。
高阻硅片 vs 低阻硅片：关键差异与应用解析
2025 / 07 / 04

在半导体制造和电子行业中，硅片（Wafer）是基础的原材料之一。根据电阻率的不同，硅片可分为高阻硅片（High-Resistivity Silicon Wafer）和低阻硅片（Low-Resistivity Silicon Wafer）。这两种硅片在性能、制造工艺和应用领域上存在显著差异。本文将深入探讨它们的特性、优缺点及适用场景，帮助读者更好地理解如何选择合适的硅片。
SOI硅片与外延片的区别：技术特点与应用对比
2025 / 07 / 02

在半导体制造领域，硅片（Wafer）是基础的衬底材料，而根据不同的工艺需求，SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）硅片和外延片（Epitaxial Wafer）是两种重要的技术路线。它们在结构、制造工艺、性能特点和应用领域上存在显著差异。本文将详细介绍SOI硅片与外延片的区别，并分析它们各自的优势与适用场景。
硅片选购指南：从入门到精通
2025 / 06 / 26

硅片是半导体制造的核心材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池、传感器等领域。无论是科研、工业生产还是个人DIY项目，选择合适的硅片都至关重要。本文将详细介绍如何选购硅片，帮助你在种类繁多的市场中做出明智选择。
硅片晶型选择对微纳加工的影响
2025 / 06 / 24

在微纳制造领域，硅片作为基础的衬底材料，其晶体结构特性直接影响着后续加工工艺和器件性能。单晶硅片和多晶硅片因其不同的晶体结构，在微纳加工中展现出截然不同的特性和应用场景。本文将深入分析这两种硅片材料的结构差异及其对微纳加工工艺的影响，并探讨它们在微电子、MEMS和光电器件等领域的具体应用选择。
半导体衬底材料中的氮化硅片与氧化硅片
2025 / 06 / 18

在半导体制造工艺中，衬底材料的选择至关重要，直接影响器件的性能、可靠性和制造成本。氮化硅（Si₃N₄）和氧化硅（SiO₂）是两种广泛使用的半导体衬底材料，它们在集成电路（IC）、MEMS、光电子器件等领域发挥着重要作用。本文将从材料特性、制备方法、应用领域及未来发展趋势等方面，对比分析氮化硅片和氧化硅片的特点及其在半导体工业中的应用。