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氮化硅片
可提供各种规格高质量氮化硅片,及氮化硅片加工定制服务。
尺寸:2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸;
晶向:<100>、<111>、<110;
氮化层SiO2膜厚;厚度:5nm-10um,常规:100-500nm;
表面:单面氧化、双面氧化;
加工方法:氧化炉/PECVD等;
类型:N型、P型、非掺杂高阻;
电阻率:重掺杂<0.001Ω.cm,轻掺杂1~100Ω.cm,非掺>1000~>20000Ω.cm;
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