随着半导体技术的不断发展，传统体硅材料的局限性日益凸显，绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator，SOI)技术应运而生。SOI作为一种创新的半导体材料结构，通过在顶层硅和衬底之间引入一层绝缘氧化物，显著提升了器件性能。SOI技术的历史可以追溯到20世纪60年代，但直到90年代才实现工业化应用。如今，随着移动设备、物联网和人工智能的快速发展，对高性能、低功耗芯片的需求激增，SOI技术的重要性与日俱增。
在机械性能方面，SOI材料的顶层硅可以做得非常薄(可达纳米级别)，这为制造超薄体器件提供了可能。同时，绝缘层的引入降低了器件对衬底噪声的敏感性，提高了电路的稳定性和可靠性。SOI材料还表现出优异的温度特性，其性能受温度变化的影响较小，适用于高温工作环境。
SIMOX技术则是通过高剂量氧离子注入硅衬底，再经高温退火形成连续的埋氧层。这种方法工艺相对简单，但对注入能量和剂量要求很高。近年来，还出现了诸如键合与背面腐蚀(BESOI)、外延层转移(ELTRAN)等新型制备技术，不断推动SOI材料质量的提升和成本的降低。
在存储器领域，SOI技术为DRAM和SRAM带来了更快的存取速度和更低的待机功耗。MEMS也是SOI材料的重要应用方向，利用SOI衬底可以制造出高性能的传感器和执行器。此外，SOI技术在图像传感器、功率器件和光电子器件等领域也展现出巨大潜力。
随着5G通信、人工智能和物联网的蓬勃发展，SOI技术迎来了新的机遇。在5G射频前端模块中，SOI基的射频开关表现出优异的线性度和效率；人工智能芯片对高能效比的需求也推动了SOI技术的应用。未来，超薄BOX SOI、全耗尽SOI(FD-SOI)等新型结构将成为研发重点，有望进一步突破性能极限。
