光刻完成后，晶圆需经切割分离芯粒、打孔构建互连通道，这两大环节直接决定芯片成品率。硅、砷化镓等晶圆材料脆性高，微米级操作偏差就可能引发崩裂、金属损伤等缺陷，需通过全流程精准管控守住良率防线。

切割环节：以应力管控破解脆性难题

切割的核心是在分离芯粒的同时避免产生微裂纹，其良率关键在于平衡切削效率与应力控制。当前主流技术分为金刚石锯切与激光切割，需针对性优化工艺。

刀片选型是锯切良率的基础。金刚砂颗粒度需与晶圆厚度匹配，常规封装选4-6μm颗粒，超薄晶圆（＜100μm）则用2-4μm细颗粒，可将背面崩裂宽度从18μm降至8μm。结合剂强度需适配材料特性，软结合剂能让磨粒及时更新刃口，减少切割负载，显著降低崩裂率。

工艺参数优化需遵循脆性材料切削理论，确保单个磨粒切削深度小于临界值。主轴转速控制在30K-35K rpm，进给速度维持20-40mm/s，搭配添加表面活性剂的冷却水，既能带走碎屑，又能缓解热应力差。超薄晶圆可采用台阶式切割，先开浅槽再切穿，使崩裂率从6.8%降至1.3%。

激光切割则通过非接触式加工规避机械应力，皮秒激光的冷加工技术可减少热影响区，适配易碎材料与先进制程。切割前需经化学机械抛光去除晶圆背面损伤层，释放内应力，从源头降低崩裂风险。

打孔环节：精准防控污染与结构损伤

打孔主要为芯片互连提供通道，先进制程中多采用通孔蚀刻工艺，其良率痛点集中在金属污染与孔壁缺陷。28nm及以下工艺中，铜籽晶容易受环境污染物侵蚀，引发填充不良。

环境管控是打孔良率的核心。采用扩散器FOUP存储晶圆，通入洁净干燥空气置换污染气体，可阻断聚合物脱气产物与铜籽晶的接触。搭配埋入籽晶前的退火工艺，能挥发表面吸附污染物，两者结合可大幅降低金属损伤缺陷。

工艺精度直接决定孔道可靠性。蚀刻参数需精准匹配材料特性，通过调节蚀刻时间与药液浓度，避免孔壁出现毛刺或过度腐蚀。打孔后需经多模态检测，激光粒度仪实时捕捉0.1μm以上颗粒残留，X射线荧光光谱仪定位金属污染，确保孔道洁净度达标。

全流程检测与智能调控：筑牢良率最后防线

缺陷防控需贯穿前后工序。切割后通过紫外线胶带拉伸分离芯粒，经显微镜筛选缺边、划痕产品；打孔后借助扫描电子显微镜与能谱仪，精准判定孔壁缺陷成分与位置。

智能化技术正成为良率提升新引擎。搭载AI视觉系统的设备可实时监测切割路径，动态调整参数将偏差控制在亚微米级；多模态传感网络能同步监测温度、压力等参数，异常响应时间不足30分钟。这些技术让良率管控从“事后补救”转向“事前预警”。