砷化铟InAs - 江苏新越半导体科技有限公司

砷化铟InAs

提供2-4英寸砷化铟晶片，及晶片定制加工服务

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。 InAs的发射波长3.34μm,在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。 InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料，制作波长2-12μm的红外发光器件。用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。

尺寸：2，3，4英寸
直径(mm)：50.8±0.3；76.2±0.3；100±0.3
厚度(um)：500±25；600±25；800±25
OF(mm)：16±2；22±2；32.5±2
IF(mm)：8±2；12±2；18±2
晶向：100/111
表面：抛光/蚀刻