首页
衬底
硅片
单晶硅片
高阻硅片
氧化硅片
氮化硅片
镀金属膜硅片
SOI硅片
异形硅片
外延硅片
进口硅片
玻璃片
BF33玻璃
石英片
蓝宝石晶片
氟晶云母
Ⅲ-Ⅴ族晶片
氮化镓GaN
磷化铟InP
砷化稼晶片
Ⅳ族晶片
碳化硅SiC
锗片Ge
滤光片
长通滤光片
窄带滤光片
光刻胶
紫外正性光刻胶
紫外负性光刻胶
Lift Off光刻胶
电子束光刻胶
特殊应用功能胶
MEMS代工
光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割划片
微孔打孔
减薄
抛光
新闻资讯
关于我们
公司简介
联系方式
EN
网站首页
衬底
硅片
玻璃片
Ⅲ-Ⅴ族晶片
Ⅳ族晶片
滤光片
光刻胶
紫外正性光刻胶
紫外负性光刻胶
Lift Off光刻胶
电子束光刻胶
特殊应用功能胶
MEMS代工
光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割划片
微孔打孔
减薄
抛光
新闻资讯
关于我们
公司简介
联系方式
搜索
MEMS加工
您的当前位置:
首页
>
MEMS加工
>
MEMS加工
提供光刻、刻蚀、镀膜、键合、切割/划片、打孔、抛光、减薄等MEMS加工定制服务。
光刻
刻蚀
应用材料:
硅片,玻璃,蓝宝石,柔性材料等
光刻技术
:
EBL电子束光刻
接触式光刻
步进式光刻
双面对准光刻
刻蚀材料:
硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料
刻蚀技术:
离子束刻蚀(IBE)
深硅刻蚀(DRIE)
反应离子刻蚀(RIE)
聚焦离子束刻蚀(FIB)
电感耦合(ICP)等离子刻蚀
镀膜
键合
镀膜材料:
金属:Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Zn、Mo、W、Ta、Nb等
非金属:Si、SiO2、SiNx、Al2O3、HFO2、MgF2、ITO、Ta2O5等
镀膜技术:
电子束蒸发、磁控溅射、LPCVD、PECVD、ALD原子层沉积等
键合技术:
阳极键合:适用于硅片与玻璃,金属与玻璃、半导体与合金、半导体与玻璃间的键合
共晶键合:适用于PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等材料
胶键合:采用键合专用胶,适用于AZ4620,SU8等键合专用胶。适用4寸、6寸。
切割/划片
打孔
激光切割:
硅基底
厚度100-700μm
晶圆尺寸:2寸、4寸、6寸、8寸
刀片切割(软刀、硬刀):
Si,Ge,玻璃,石英,陶瓷,电路板切割
材质:
各种材料,如:玻璃、金属片、硅片、半导体、芯片等
微米级孔径:
提供微孔打孔加工服务
减薄
抛光
材质:
Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等
均匀性:
±2um
材质:
Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等
表面粗糙度:
1-50nm
外延
掺杂
工艺技术:
金属有机物化学气相沉积:GaN,GaAs
化学气相沉积:
SIC
工艺技术:
离子注入:B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si
高温氧化
高温扩散/退火
快速退火
衬底
硅片
玻璃片
Ⅲ-Ⅴ族晶片
Ⅳ族晶片
滤光片
光刻胶
紫外正性光刻胶
紫外负性光刻胶
Lift Off光刻胶
电子束光刻胶
特殊应用功能胶
MEMS代工
光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割划片
微孔打孔
减薄
抛光
新闻资讯
硅片加工工艺流程
什么是硅片,硅片有哪些分类
单晶硅和多晶硅的区别
碳化硅衬底的制备和分类
关于我们
公司简介
联系方式
Copyright © 江苏新越半导体科技有限公司 版权所有
苏ICP备2023025394号-1