| 光刻 | 刻蚀 | ||
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应用材料： 硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等 光刻技术： EBL电子束光刻 接触式光刻 步进式光刻 双面对准光刻 |
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刻蚀材料： 硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料 刻蚀技术： 离子束刻蚀（IBE） 深硅刻蚀（DRIE） 反应离子刻蚀（RIE） 聚焦离子束刻蚀（FIB） 电感耦合(ICP)等离子刻蚀 |
| 镀膜 | 键合 | ||
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镀膜材料： 金属：Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Zn、Mo、W、Ta、Nb等 非金属：Si、SiO2、SiNx、Al2O3、HFO2、MgF2、ITO、Ta2O5等 镀膜技术： 电子束蒸发、磁控溅射、LPCVD、PECVD、ALD原子层沉积等 |
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键合技术： 阳极键合：适用于硅片与玻璃，金属与玻璃、半导体与合金、半导体与玻璃间的键合 共晶键合：适用于PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等材料 胶键合：采用键合专用胶，适用于AZ4620，SU8等键合专用胶。适用4寸、6寸。 |
| 切割/划片 | 打孔 | ||
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激光切割： 硅基底 厚度100-700μm 晶圆尺寸：2寸、4寸、6寸、8寸 刀片切割(软刀、硬刀)： Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，电路板切割 |
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材质： 各种材料，如：玻璃、金属片、硅片、半导体、芯片等 微米级孔径： 提供微孔打孔加工服务 |
| 减薄 | 抛光 | ||
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材质： Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等 均匀性： ±2um |
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材质： Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等 表面粗糙度： 1-50nm |
| 外延 | 掺杂 | ||
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工艺技术： 金属有机物化学气相沉积：GaN，GaAs 化学气相沉积：SIC |
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工艺技术： 离子注入：B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si 高温氧化 高温扩散/退火 快速退火 |
